Le transistor : montages de base

Glossaire et abréviations.

B	base	RE	résistance d'entrée
E	émetteur	RS	résistance de sortie
C	collecteur	Rbc	résistance d'entrée du transistor entre Base et Collecteur
b	gain du transistor	//	"parallèle à"
Gi	gain en courant	Gu	gain en tension

Représentation schématique du transistor.

B: Base E : Émetteur C : Collecteur

Fonctionnement : règle de base.

Ie=Ib+Ic Ic=b * Ib

Montage émetteur commun théorique.

L'émetteur est commun à l'entrée et à la sortie.

Montage collecteur commun théorique.

Le collecteur est commun à l'entrée et à la sortie.

Montage base commune théorique.

La base est commune à l'entrée et à la sortie.

Montage pratique émetteur commun.

RE = RB//Rbc.

Gi = b Gu = -b *Rc/RE RS = RC

Montage pratique collecteur commun.

Soit Rg la résistance interne du générateur produisant Ve.

RE = Rbc + (b * R).

Gi = -(b +1) Gu = 1 RS = RE // ((Rbc+Rg)/b )

Montage pratique base commune.

RE = Rbc/(1 + b )

Gi # 1 Gu = b * Rc/Rbc RS = Rc

Utilisation aux fréquences élevées.

Montage pratique émetteur commun : effet MILLER.

Soit CE la capacité d'entrée du montage.

CE = Ccb * Gu.

Montage pratique : le Darlington NPN.

Gi = b 1 * b 2

Montage pratique : le Darlington complémentaire.

Ic = b 1 * b 2 * Ib

Montage pratique : le miroir de courant.

I2 = I1. La variation de I2 s'effectue par variation de I1.